中频电炉可控硅参数的选定

中频炉可控硅（晶闸管）使用参数如何选择，在保证安全的前提下，电压、电流的参数选配，在一般情况下，装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项:即额定电流(A)和额定电压(V),使用部门提出的器件参数要求也只是这两项，在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(t)参数，在一般情况下也是可以的。但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发，我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参 数也作一些挑选。 根据可控硅的静态特性,对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。

1选择正反向电压

可控硅在门极无信号，控制电流Ig为0时，在阳(A)一- -阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置，所以，器件呈高阻抗状态，称为正向阻断状态，若增大UAK而达到一定值VB0，可控硅由阻断突然转为导通，这个VB0值称为正向转折电压，这种导通是非正常导通，会减短器件的寿命。所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。在阳一阴极之间加 上反向电压时， 器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置，呈阻断状态。 当加大反向电压达到一定值FRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态，此时是反向击穿，器件会被损坏。而且VB0和VRB值随电压的重复施加而变小。在感性负载的情况下，如磁选设备的整流装置。在关断的时候会产生很高的电压(∈= Ldi/dt),如果电路上未有良好的吸收回路，此电压将会损坏可控硅器件。因此，器件也必须有足够的反向耐压VRRM。

可控硅在变流器(如电机车)中工作时，必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作， 所以正反向峰值电压参数VDRM、VRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上，考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素，在选择代用参数的时候，只能向高一档的参数选取。

2选择额定工作电流参数

可控硅的额定电流是在一定条件的最大通态平均电流IT,即在环境温度为+40C和规定冷却条件，器件在阻性负载的单相工频正弦半波，导通角不少于170C的电路中，当稳定的额定结温时所允许的最大通态平均电流。而一般变流器工作时，各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多数的情况也不可能在170C导通角上工作，通常是少于这一角度。这样就必须选用可控硅的额定电流稍大一些， -般应为其正常电流平均值的1.5-2.0倍。